Samsung sản xuất bộ nhớ flash 3D

Samsung vừa công bố một bước tiến mới trong công nghệ sản xuất bộ nhớ flash. Hãng công nghệ Hàn Quốc cho biết họ bắt đầu sản xuất đại trà dòng bộ nhớ flash NAND 3D dọc, viết tắt là V-NAND. Sự đột phá của công nghệ này là các thành phần của chip nhớ không còn được bố trí theo cấu trúc 2 chiều như trước nữa mà Samsung đã chồng dọc các cell nhớ, nhờ công nghệ Charge Trap Flash. Nhờ công nghệ mới của Samsung, các chip nhớ có thể chứa 24 lớp cell được xếp chồng, giúp tăng dung lượng bộ nhớ dễ dàng. Cấu trúc này giúp cho bộ nhớ flash có độ ổn định và tốc độ (hiệu năng) cao hơn.